МОСКВА, 13 мая. /ТАСС/. Исследователи Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета (СПбГЭТУ) "ЛЭТИ" и Института химии силикатов (ИХС) РАН обнаружили новые свойства боросиликатных пленок, которые используются при создании транзисторов, интегральных схем и других компонентов микроэлектроники. Результаты работы опубликованы в журнале Glass Physics and Chemistry, сообщила в пятницу пресс-служба ЛЭТИ.
"Научная группа обнаружила новые свойства боросиликатных пленок, которые, в частности, используются для создания высокоэффективных транзисторов, применяемых в современной микроэлектронике. <...> Разработками петербургских ученых заинтересовались в Новгородском государственном университете им. Ярослава Мудрого. Они планируют изучить возможность использования тонких золь-гель пленок для создания новых магнитных материалов", - говорится в сообщении.
Развитие микроэлектроники сегодня направлено не только на миниатюризацию и повышение быстродействия устройств, но и на улучшение их технико-экономических характеристик. Поэтому ученые занимаются поиском новых эффективных материалов и технологий их получения для создания необходимой компонентной базы. Одним из перспективных веществ для микроэлектроники являются соединения бора. Прежде всего борная кислота (H3BO3) и ее соединения. Одним из методов получения таких материалов является золь-гель технология.
Цель ученых в новой работе состояла в изучении структуры высоколегированных боросиликатных пленок в зависимости от состава исходных золь-гель композиций. Специалисты проанализировали большой массив научных статей, посвященных исследованию процессов, сопровождающих золь-гель синтез боросодержащих и боросиликатных материалов и их свойств, которые были написаны в последние годы.
Затем ученые изучили структуру и состав несколько перспективных образцов боросиликатных материалов, которые были синтезированы в ИХС РАН за прошедшие семь лет. Причем исследователи смогли изучить не только процессы формирования структуры боросиликатных материалов и их физико-химические свойства, но и проследить, как изменили их прошедшие годы. Для изучения соединений применялись современные методы исследования: оптическая, сканирующая и просвечивающая микроскопия, малоугловое рассеяние рентгеновских лучей и ИК-Фурье спектроскопия.
"Особый интерес представляет изучение структуры боросодержащих пленок с высоким содержанием бора, потому что такие пленки наиболее эффективны для практических применений - они могут использоваться для легирования кремния заданным количеством бора без искажения его кристаллической структуры. Это позволяет изготавливать ценные компоненты для электронной техники, например малошумящие биполярные транзисторы", - отметила профессор базовой кафедры нанотехнологий и наноматериалов в радиоэлектронике СПбГЭТУ "ЛЭТИ" при ИХС РАН, главный научный сотрудник лаборатории неорганического синтеза ИХС РАН Ольга Шилова, слова которой приводятся в сообщении.
