Ученые вырастили графеновые пленки методом термодеструкции. Это один из самых перспективных методов получения графена, при котором полупроводящий карбид кремния (6H-SiC) нагревается до такой степени, что атомы кремния начинают испаряться с поверхности полупроводника, оставляя за собой тончайшие пленки графена.
Исследовав полученные таким образом пленки при помощи фотоэлектронной спектроскопии, ученые обнаружили неожиданные изменения в их электронной структуре, говорится в сообщении университета.
Между поверхностями графена и карбида кремния образовалась так называемая квантовая яма, в которой у электронов появляется возможность быть в дополнительных разрешенных состояниях. Это влияет на диапазон длин волн, которые может поглощать графен, поэтому обнаруженный эффект необходимо учитывать при создании оптоэлектронных приборов на основе графена.
Результаты исследования опубликованы в журнале Carbon.
Исследовав полученные таким образом пленки при помощи фотоэлектронной спектроскопии, ученые обнаружили неожиданные изменения в их электронной структуре, говорится в сообщении университета.
Между поверхностями графена и карбида кремния образовалась так называемая квантовая яма, в которой у электронов появляется возможность быть в дополнительных разрешенных состояниях. Это влияет на диапазон длин волн, которые может поглощать графен, поэтому обнаруженный эффект необходимо учитывать при создании оптоэлектронных приборов на основе графена.
Результаты исследования опубликованы в журнале Carbon.
