САНКТ-ПЕТЕРБУРГ, 14 июня. /ТАСС/. Ученые Санкт-Петербургского государственного университета (СПбГУ) первыми в России разработали и запатентовали устройство для получения силицена - материала, который перспективен для микроэлектроники будущего. Об этом в среду сообщили ТАСС в пресс-службе вуза.
"Мы впервые разработали и получили патент на устройство для изготовления силицена. Особенность технологии заключается в формировании однослойного силицена - от аналогов наша разработка отличается увеличенным размером нанокристаллических доменов, достигающем 100 нм на 100 нм", - привели в пресс-службе слова одного из авторов работы, профессора кафедры электроники твердого тела СПбГУ Алексея Комолова.
Отмечается, что первая такая разработка в России может быть перспективной для посткремниевой микроэлектроники будущего.
Сегодня ученые активно изучают материалы, которые могли бы заменить дорогостоящий кристаллический кремний в устройствах микроэлектроники. Один из них - графен - монослой атомов углерода, а его кремниевым аналогом является силицен - материал, имеющий такую же кристаллическую структуру, но состоящий из атомов кремния, а не углерода.
По данным пресс-службы, синтез силицена проводится за счет термической сублимации (распыления) исходного материала. Так, атомный или молекулярный пучок распыленного материала направляется на поверхность подложки, где частицы материала откладываются и образуют тонкий слой пленки. Сам процесс происходит в вакууме для обеспечения чистых и беспрепятственных условий формирования пленки. Физики СПбГУ наносили атомарный поток кремния на нагретую до 200 градусов Цельсия подложку вольфрама с предварительно нанесенным слоем серебра. За счет миграции атомов кремния на поверхности нагретой подложки ученым удалось получить однослойный силицен, а крупные кристаллические домены силицена удалось сформировать за счет структурных параметров слоя серебра.
