Все новости

Биография президента РАН Геннадия Красникова

Он сменил Александра Сергеева
Президент Российской академии наук Геннадий Красников Антон Новодережкин/ТАСС
Описание
Президент Российской академии наук Геннадий Красников
© Антон Новодережкин/ТАСС

ТАСС-ДОСЬЕ. 20 сентября 2022 г. стало известно, что на выборах президента Российской академии наук (РАН) победил генеральный директор АО "НИИМЭ" (Зеленоград, Москва) Геннадий Красников. Он набрал 871 голос (более 50% участвующих в голосовании членов РАН), опередив своего соперника - директора Института теплофизики им. С. С. Кутателадзе Сибирского отделения РАН (Новосибирск) Дмитрия Марковича (получил 397 голосов).

Геннадий Яковлевич Красников родился 30 апреля 1958 г. в Тамбове. Учился в тамбовской специализированной математической школе (ныне лицей) №29.

В 1981 г. с отличием окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники (ныне Национальный исследовательский университет "МИЭТ") по специальности "автоматика и электроника". Заочно обучался в аспирантуре МИЭТ.

Доктор технических наук, профессор. В 1990 г. в МИЭТ защитил кандидатскую диссертацию, в 1996 г. в Научно-исследовательском институте молекулярной электроники - докторскую диссертацию (тема: "Физико-технологические принципы и методы обеспечения качества КМОП БИС массового производства").

В 1997 г. Геннадий Красников был избран членом-корреспондентом, в 2008 г. - академиком Российской академии наук (РАН). Является членом Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ) РАН.

С 1981 г. - инженер, с 1983 г. - ведущий инженер лаборатории в Научно-исследовательском институте молекулярной электроники (НИИМЭ) в городе-спутнике Москвы Зеленограде (ныне Зеленоградский административный округ столицы). Одновременно с 1983 г. был конструктором и технологом на опытном заводе "Микрон" НИИМЭ. В 1984 г. был назначен начальником ведущего цеха, а в 1985 г. - председателем совета начальников цехов завода. Затем занимал должности начальника внутрипроизводственного объединения подразделений, заместителя главного инженера (с 1987 г.), заместителя гендиректора по производству (с 1988 г.) завода "Микрон".

В июле 1991 г. Геннадий Красников возглавил НИИМЭ и завод "Микрон". После их объединения в 1994-2016 гг. был гендиректором АООТ "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (впоследствии ОАО "НИИМЭ и Микрон", с 2016 г. - ПАО "Микрон").

С 2016 г. по н. в. - генеральный директор АО "НИИМЭ" (дочерняя структура ПАО "Микрон"). Одновременно является председателем совета директоров ПАО "Микрон" и АО "НИИ ТМ" (НИИ точной механики, Санкт-Петербург).

В 2016 г. решением президента Российской Федерации Владимира Путина Геннадий Красников был наделен полномочиями руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям, а АО "НИИМЭ" стало головным предприятием по этому направлению.

Заведует базовыми кафедрами АО "НИИМЭ" в двух вузах: МИЭТ (кафедра "Субмикронная технология СБИС") и Московском физико-техническом институте (кафедра микро- и наноэлектроники).

В сентябре 2017 г. Геннадий Красников участвовал в выборах президента РАН, был одним из пяти кандидатов. Был выдвинут бюро Отделения общественных наук, президиумами Дальневосточного и Сибирского отделений, а также 122 членами РАН. В первом туре получил 269 голосов (16,85%), заняв третье место. В ходе второго тура президентом РАН был избран Александр Сергеев.

С сентября 2017 г. - член президиума РАН, с 2019 г. - академик-секретарь ОНИТ РАН.

19 июля 2022 г. Геннадий Красников был зарегистрирован одним из четырех кандидатов на должность президента РАН. Был выдвинут бюро отделений РАН: нанотехнологий и информационных технологий; энергетики, машиностроения, механики и процессов управления; химии и наук о материалах; общественных наук; физиологических наук; сельскохозяйственных наук, а также президиумами Дальневосточного и Уральского отделений РАН. 1 сентября он прошел процедуру согласования в правительстве РФ и был допущен к выборам вместе с Александром Сергеевым (19 сентября снял свою кандидатуру) и Дмитрием Марковичем.

Геннадий Красников является специалистом в области физики полупроводников, диэлектриков и гетероструктур на их основе, микро- и наноэлектроники, технологии создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемам обеспечения качества их промышленного производства. Научные достижения Геннадия Красникова легли в основу создания более 200 типов микросхем, которые ранее выпускались за пределами РФ. Под его руководством в Зеленограде создан комплекс по разработке и промышленному производству микросхем, которые в дальнейшем стали использоваться при реализации проектов в области телекоммуникации и связи, медицины и транспорта, космической и авиационной техники, национальной банковской системы и др.

Автор и соавтор более 400 научных работ, четырех монографий, более 40 авторских свидетельств и патентов. Среди публикаций - "Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС" (1999), "Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов" в двух томах (2002-2004), "Система кремний-диоксид кремния субмикронных СБИС" (2003) и др.

Главный редактор журналов "Микроэлектроника", "Электронная техника. Серия микроэлектроника", "Интеллект&Технологии".

Был доверенным лицом кандидата на должность президента РФ Владимира Путина (2012).

Награжден орденами Почета (1999), "За заслуги перед Отечеством" IV степени (2008), Дружбы (2014), Александра Невского (2018).

Лауреат Государственной премии РФ 2014 г. в области науки и технологий ("за разработку полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами для современного микроэлектронного производства"), а также премий правительства РФ в области науки и техники (1999, 2009, 2019).

В число его наград входит медаль ЮНЕСКО "За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий" (2016).

Иностранный член Национальной академии наук Белоруссии (2021), почетный доктор Санкт-Петербургского национального исследовательского академического университета РАН (2015).