МОСКВА, 12 июля. /ТАСС/. Исследователи Сколковского института науки и технологий (Сколтех) с коллегами в ходе экспериментов подтвердили работоспособность нового вида томографии - нанотомографии давления. Новый вид обеспечивает почти в сто раз более высокое разрешение, чем аналогичные методы, и не использует радиации. Работа опубликована в Journal of the Mechanics and Physics of Solids. О результатах сообщила во вторник пресс-служба Сколтеха.
Компьютерную томографию часто используют в медицинской практике. Однако с ее помощью можно послойно исследовать любую внутреннюю структуру объекта без разрушения. Например, образец просвечивают с помощью рентгеновского или нейтронного излучения, а полученные снимки или "срезы" образцов собирают в 3D-модели. Такие методы применяют в промышленности, строительстве, в лабораторных исследованиях и других сферах.
"Исследователи из Сколтеха и их российские и испанские коллеги экспериментально подтвердили работоспособность концепции нанотомографии давления - нового метода отображения внутренней структуры наноматериалов с учетом распределения их плотности. Разрешение нового вида томографии почти на два порядка выше, чем у используемых сегодня рентгеновской и нейтронной томографии, которые вдобавок несут радиационные риски", - говорится в сообщении.
Суть метода, как пояснили в Сколтехе, заключается в многократном прохождении металлической иглы по поверхности образца в разных направлениях и с разной степенью нажима, и в это время считывает возникающее под давлением электрическое поле. Так как свойства поля связаны с плотностью материала в конкретной его точке, то по получаемым данным исследователи могут понять внутреннюю структуру образца и то, как в нем распределено давление.
Авторы работы считают, что их метод в дальнейшем может стать базовым метрологическим инструментом нанотехнологов. А также будет способствовать изучению перспективного направления в нанотехнологиях - напряженных наноматериалов. Так, под давлением свойства материалов меняются, и исследователи полагают, что в сверхмалых устройствах возможно появление таких свойств, которые сегодня даже трудно предсказать.