ТАСС, 30 ноября. Российские ученые разработали новые методы получения полупроводниковых материалов, которые позволят создавать мощные и компактные лазеры, превосходящие по характеристикам существующие аналоги. Об этом пишет пресс-служба Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета (СПбГЭТУ) "ЛЭТИ".
"Предложенные нами методы позволяют выращивать наногетероструктуры с более высокими оптическими свойствами по сравнению с существующими аналогами. Созданные на основе этих материалов прототипы устройств являются очень компактными - их можно разместить на чипе. Сегодня такие лазеры актуальны как для российских, так и для зарубежных производителей передовых автономных транспортных систем. Например, беспилотным автомобилям для ориентирования в пространстве необходимы лазерные радары (лидары)", - рассказал один из авторов работы, магистрант СПбГЭТУ "ЛЭТИ" Илья Шушканов.
Ученый пояснил, что мощные полупроводниковые лазеры широко используются в различных сферах: от машиностроения и обработки материалов до медицины и энергетики. К плюсам таких устройств можно отнести высокую надежность и энергоэффективность. Однако существующие технологии подошли к пределу по излучаемой мощности, требуются новые разработки.