Все новости

Физики создали основу для гибридной спиновой памяти

Новая разработка не уступает аналогам, которые разрабатываются в России и других странах, уверены ученые

ТАСС, 11 ноября. Физики создали наноструктуры на основе марганца, мышьяка и галлия, которые можно использовать в качестве ячеек гибридной спиновой памяти. Результаты исследования опубликовал научный журнал Physical Review B, кратко об этом пишет пресс-служба Нижегородского государственного университета (ННГУ).

"Физики и технологи создали структуру из сверхтонкого слоя магнитных атомов марганца, который находится в нескольких нанометрах от полупроводниковой квантовой ямы с арсенидом галлия. Они продемонстрировали запись и считывание информации с помощью импульсов поляризованного света", - говорится в сообщении.

В последние десятилетия физики изучают квантовые свойства электронов и атомов, чтобы использовать их при создании электронных приборов – в частности, для так называемой спиновой электроники или спинтроники. Она отличается от обычной микроэлектроники тем, что в последней информация представляется с помощью электрического заряда, а в спинтронике – с помощью спина электрона, условного направления вращения частицы.

Ученые открыли множество материалов, которые избирательно пропускают электроны с разным направлением спина. Теоретически благодаря этому их можно использовать для создания спиновых аналогов диодов, транзисторов и других важнейших компонентов электронных устройств.

Физики под руководством доцента ННГУ Михаила Дорохина разработали новый наноматериал, который можно использовать в качестве основы для гибридной спиновой памяти, сочетающей в себе свойства полупроводникового диода и магнитного элемента памяти.

Ученые создали его в ходе опытов по изучению того, как будут вести себя атомы марганца, обладающие интересными магнитными свойствами, если поместить их рядом с полупроводниковым материалом, который способен взаимодействовать с поляризованным светом. Физики предположили, что такое соседство даст возможность управлять спиновыми характеристиками марганца, используя сверхкороткие вспышки света.

Первые опыты показали, что подобное свойство у прототипов подобных наноструктур действительно есть. Это позволяет использовать их в качестве базы для устройств, способных хранить информацию в спиновой форме и манипулировать ей при облучении короткими вспышками поляризованного лазерного излучения.

В этом отношении, по словам Дорохина и его коллег, их разработка не уступает уже существующим прототипам спиновых ячеек памяти, которые разрабатываются в России и других странах.