В США представлен первый чип с топологией 7 нм
Новый чип был разработан компанией IBM в сотрудничестве с Samsung, GLOBALFOUNDRIES и STMicroelectronics. Технология позволит размещать на одном чипе размером меньше человеческого ногтя до 20 млрд транзисторов. Теперь перед разработчиками встанет задача внедрения в промышленность и достижения экономической эффективности этой технологии.
Технология была разработана на территории Центра исследования нанотехнологий Политехнического института при Университете штата Нью-Йорк. Для создания чипа ученым потребовалось использование ряда инноваций: кремний-германиевых (SiGe) канальных транзисторов и многоуровневой экстремальной ультрафиолетовой литографии — вида фотолитографии в наноэлектронике, говорится в сообщении компании IBM.
Новые технологии увеличения плотности размещения элементов приведут к улучшению соотношения производительности и энергопотребления в следующих поколениях систем на 50%. На сегодняшний момент в серверах, облачных центрах обработки данных и мобильных устройствах используются микропроцессоры, изготовленные по 22-нм и 14-нм технологиям. Менее полугода назад самым передовым считался 10-нм микропроцессор, разработки которого велись с 2011 года, а массовое производство, рассчитывалось, начнется в 2016 году.
«Основная трудность заключается не в получении чипа уровня 7 нм, а в промышленном освоении такой технологии, т.е. достижении воспроизводимости параметров и, главное, достижении экономической эффективности такой технологии», — сказала «Чердаку» вице-президент отраслевой ассоциации СМЭП Карина Абагян.
На сегодня 28 нм стал последним уровнем, на котором стоимость транзистора снижалась с каждым новым поколением: 1 транзистор 28 нм стоит дешевле 45-нанометрового, который стоит дешевле 65-нм и т.п. Дальнейшее уменьшение топологического размера ведет к удорожанию производства, отмечает эксперт.
«Стоит обратить внимание на то, что этот чип разработан альянсом крупных компаний и R&D центров. Стоимость разработки каждого нового поколения технологий составляет миллиарды долларов, это уже давно не является процессом геометрического масштабирования, на каждом шаге изобретаются новые материалы и наноструктуры, используются не задействованные до этого в микроэлектронике физические принципы. Такая работа — это, бесспорно, вершина высоких технологий человечества», — заключила Абагян.
Новые технологии увеличения плотности размещения элементов приведут к улучшению соотношения производительности и энергопотребления в следующих поколениях систем на 50%. На сегодняшний момент в серверах, облачных центрах обработки данных и мобильных устройствах используются микропроцессоры, изготовленные по 22-нм и 14-нм технологиям. Менее полугода назад самым передовым считался 10-нм микропроцессор, разработки которого велись с 2011 года, а массовое производство, рассчитывалось, начнется в 2016 году.
«Основная трудность заключается не в получении чипа уровня 7 нм, а в промышленном освоении такой технологии, т.е. достижении воспроизводимости параметров и, главное, достижении экономической эффективности такой технологии», — сказала «Чердаку» вице-президент отраслевой ассоциации СМЭП Карина Абагян.
На сегодня 28 нм стал последним уровнем, на котором стоимость транзистора снижалась с каждым новым поколением: 1 транзистор 28 нм стоит дешевле 45-нанометрового, который стоит дешевле 65-нм и т.п. Дальнейшее уменьшение топологического размера ведет к удорожанию производства, отмечает эксперт.
«Стоит обратить внимание на то, что этот чип разработан альянсом крупных компаний и R&D центров. Стоимость разработки каждого нового поколения технологий составляет миллиарды долларов, это уже давно не является процессом геометрического масштабирования, на каждом шаге изобретаются новые материалы и наноструктуры, используются не задействованные до этого в микроэлектронике физические принципы. Такая работа — это, бесспорно, вершина высоких технологий человечества», — заключила Абагян.