Магниторезистивная память, STT-MRAM, работает не за счет накопления электрических зарядов в ячейках, а за счет изменения намагниченности вещества (примерно как на обычном жестком диске, винчестере). Эта технология находится в стадии разработки уже более двадцати лет, но долгое время оставалась на периферии из-за больших размеров ячеек подобных микросхем: плату стандартных размеров не получалось сделать емкостью больше сорока мегабайт. Но STT-MRAM имеет ряд неоспоримых преимуществ. Так, в сравнении как с DRAM, стандартной оперативной памятью, магниторезистивная микросхема продолжает хранить данные после отключения от сети. А если сравнивать ее с флеш-памятью, которая применяется на «флешках» и твердотельных накопителях (SSD), STT-MRAM будет быстрее и, что особенно важно, будет обладать большим сроком службы: магнитные ячейки фактически не изнашиваются при записи данных.
Теоретически магниторезистивная память способна со временем вытеснить и DDR-«оперативку» (потому что будет экономичнее и ее можно будет оставлять без питания), и «твердотельники» (потому что окажется более долгоживущей). Японские инженеры сделали в этом направлении важный шаг, найдя способ уменьшить размеры чипа за счет более плотной компоновки и уменьшения размеров отдельной ячейки. Разработанная ими микросхема, как утверждается в пресс-релизе университета, стала самой быстрой в мире из магниторезистивных прототипов: запись информации требует всего 14 наносекунд.
Подобная скорость записи, впрочем, заметно выше, чем у современных чипов DRAM. Возможность работать быстрее DRAM для MRAM пока остается теоретической. В то же время для некоторых задач 128 мегабайт емкости и 14 наносекунд на запись может быть вполне достаточно. Сами авторы указывают на то, что их детище отличается сниженным энергопотреблением, поэтому может использоваться в качестве кэш-памяти на мобильных устройствах, где задача растянуть заряд аккумулятора на возможно более длительный срок часто бывает критичной.
Алексей Тимошенко
