14 ИЮЛ, 05:01

В РФ получили кристалл высокой чистоты для использования в солнечных батареях

Разработка принадлежит ученым Института геологии и минералогии СО РАН в Новосибирске

НОВОСИБИРСК, 14 июля. /ТАСС/. Ученые Института геологии и минералогии (ИГМ) СО РАН в Новосибирске разработали сверхчистый кристалл на основе кадмия и теллура, который может найти применение в оптике и электронике, в частности, в элементах солнечных батарей. Это следует из патента, с которым ознакомился ТАСС.

Монокристаллы являются перспективным материалом для разработки высокоэффективных элементов солнечных батарей, для контроля радиации и использования в качестве электрооптических модуляторов. Однако к их оптическим свойствам предъявляются высокие требования, в частности, нужна высокая однородность материала с минимумом дефектов для работы со светом. Существующие методы получения кристаллов для таких устройств сложны для воспроизводства.

"Проблема, на решение которой направлено изобретение, заключается в получении кристаллов теллурида кадмия с оптимальным сочетанием параметров: большой размер и высокое качество, достаточное для использования в электрооптических приборах, в частности для использования в электрооптических модуляторах", - говорится в патенте.

Разработанный учеными способ изготовления кристалла отличается высокой степенью очистки исходного сырья - кадмия и теллура.

Еще одна особенность нового материала в том, что при его создании используются специальная печь для вертикальной кристаллизации из двух зон. При этом в "горячей" зоне ученые поддерживали температуру в 900-720 градусов Цельсия, а в "холодной" - 680-500 градусов. Нужный эффект для создания высокочистого кристалла они достигли при выдерживании такой разницы температур в течение 4 часов.

"Изобретение позволяет получить кристаллы кадмия и теллура до 50 мм в длину и диаметром до 35 мм с высоким оптическим пропусканием на длине волны 10,6 мкм и низкой плотностью протяженных и точечных дефектов. Кристаллы могут быть использованы для электрооптических модуляторов", - отмечают авторы патента.

Читать на tass.ru
Теги