Все новости

Ученые ДВФУ и трех вузов КНР выиграли грант РНФ на разработку технологий в наноэлектронике

Исследования будут касаться материалов, с помощью которых в дальнейшем станет возможным создание энергоэффективных носителей информации

ВЛАДИВОСТОК, 2 декабря. /ТАСС/. Ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) и трех университетов Китая получили более 20 млн рублей на совместные разработки в области спин-орбитроники в рамках гранта Российского научного фонда (РНФ), сообщили ТАСС в пятницу в пресс-службе вуза. До 2025 года физики будут разрабатывать новые материалы, которые позволят в дальнейшем создавать энергоэффективные носители информации и процессоры.

Грант получили ученые ДВФУ и трех университетов в трех провинциях на северо-востоке Китая: Даляньского технологического, Цзилиньского и Северо-Восточного университетов.

"Как сообщают ученые, для широкого применения магнитных устройств, таких как магнитная память с произвольным доступом (MRAM), логическая память и нейроморфные вычислительные устройства, необходимы эффективные способы управления локальной намагниченностью. Одним из лучших механизмов является спин-орбитальный крутящий момент (SOT), связанный со спиновыми токами в материалах с сильной спин-орбитальной связью. Однако сейчас применять в практике SOT-MRAM не получается из-за высокой плотности тока и сравнительно большого энергопотребления. Для оптимизации этой памяти необходимо создать новые материалы с SOT-эффектом", - говорится в сообщении.

За три года физики планируют снизить критическую плотность тока переключения намагниченности, используя новые топологические материалы, что позволит создавать новые носители информации. В работу планируется вовлекать молодых ученых - аспирантов и студентов. Результаты исследования будут интегрированы в новые дисциплины в программах магистратуры "Прикладная физика" и "Вычислительная физика" Института наукоемких технологий и передовых материалов ДВФУ, а также представлены на ведущих международных конференциях.

"Международная коллаборация будет способствовать ускоренному профессиональному росту исследователей. Это позволит воспитать новое поколение высококлассных специалистов и экспертов в области физики и нанотехнологий. Мы планируем сформировать новые молодежные международные коллективы, которые будут расширять спектр решаемых задач и смогут участвовать в новых конкурсах. Такая комплексная работа с молодым поколением приведет к укреплению научной школы по магнитной наноэлектронике на Дальнем Востоке России, которая фокусирует свои усилия на работе с азиатскими партнерами, что является одним из стратегических направлений для российской науки", - сообщил руководитель проекта, директор Института наукоемких технологий и передовых материалов ДВФУ Алексей Огнев, которого процитировали в пресс-службе.

О магнитной памяти

Отмечается, что ученые ДВФУ активно разрабатывают магнитную память на принципах спин-орбитроники. Запись в такой памяти осуществляется спиновым током без приложения внешних магнитных полей, а информация хранится без потребления энергии. Разрабатываемая память пригодится в отраслях, где используются компьютеры для расчетов - от центров обработки данных до автономных автомобилей и инвазивной электроники. В дальнейшем это откроет новые возможности для реализации аппаратных систем искусственного интеллекта и квантового компьютера.